| 品牌 | EVERSPIN | 批号 | 24+ |
| 封装 | 54-TSOP | 仓库 | 深圳 |
- 原装正品，电话确认实际库存
满度科技——电子元器件一站式供应专家
满度科技是一家专注于电子元器件供应的高新技术企业，集研发支持、现货销售、供应链服务于一体，致力于为客户提供高性价比、快速交付的元器件采购解决方案。凭借强大的技术支持团队和高效的现货库存体系，我们已成为众多电子制造企业的长期合作伙伴。
核心产品与服务
全品类电子元器件供应
MCU/MPU：ST、NXP、TI等主流品牌
存储芯片：Flash、DRAM、EEPROM等
功率器件：MOSFET、IGBT、电源管理IC
模拟/数字芯片：ADC、DAC、运放、逻辑器件
被动元件：电容、电阻、电感、连接器
专业技术支持
FAE团队提供选型指导、替代方案、故障分析
7×24小时响应，紧急需求1小时内提供解决方案
BOM配单服务，优化采购成本与交期
现货库存优势
深圳仓5000+SKU，覆盖热门型号，库存实时更新
智能仓储系统，订单快速处理，当日发货
原厂&授权渠道，100%正品保障，支持第三方检测
增值服务
小批量试产+批量供应，灵活满足不同需求
VMI（供应商管理库存），降低客户备货压力
短缺物料搜寻，全球渠道快速调配
满度科技——以专业服务助力您的电子制造！
服务热线：150-1290-5940
官网：www.manduic.comEVERSPIN作为全球磁阻随机存取存储器（MRAM）领域的领军企业，EVERSPIN 凭借自主研发的 STT-MRAM（自旋转移力矩磁阻存储器）技术，打破传统存储技术瓶颈，为工业、汽车、医疗、物联网等关键领域提供 “无延迟、高可靠、长寿命” 的存储解决方案。以下从核心技术原理、产品核心特性、型号参数详解、竞品优势对比四大维度，全面解析 EVERSPIN 产品的核心价值。
产品核心特性：六大关键优势VERSPIN 产品基于垂直磁隧道结（p-MTJ）架构的 STT-MRAM 技术，通过 “电子自旋力矩” 实现数据写入，无需传统存储的高电压脉冲或电荷积累，从根本上解决了传统存储的三大痛点：
告别 “写入磨损”：无电荷注入导致的介质老化，实现理论上无限的写入寿命；
消除 “延迟瓶颈”：写入速度与读取速度持平，达到纳秒级（ns）响应，远超 Flash 的微秒级（μs）写入延迟；
摆脱 “功耗依赖”：无需持续供电维持数据，断电后数据永久保留，同时睡眠模式功耗低至微安级（μA）。
该技术已通过超过 10 亿小时的现场可靠性测试，是目前唯一能同时满足 “高速、高耐久、非易失、低功耗” 的存储方案。
多元产品系列，满足不同需求
1. SPI 接口 MRAM 系列
SPI 接口系列产品凭借高速、便捷的数据传输优势，广泛应用于对读写速度有严苛要求的嵌入式系统中。
MR20H40：4Mb 存储容量，SPI 接口速率高达 50MHz/20ns，工作温度范围为工业级 - 40℃~+85℃。其写入延迟低至 20ns，可实时捕获高频数据，在工业传感器数据采集、高速数据采集卡等领域表现卓越。
MR25H40：同样 4Mb 容量，接口速率为 40MHz/25ns，但在温度适应性上更为出色，涵盖工业级（-40℃~+85℃）、扩展级（-40℃~+105℃）以及汽车级（AEC-Q100 Grade 1，-40℃~+125℃）。在汽车发动机控制单元、户外物联网基站等极端环境设备中，能稳定保障数据存储与传输。
MR25H10CDF：1Mb 小容量设计，接口速率 33MHz/30ns，工作温度 - 40℃~+85℃。成本效益高，适用于智能仪表、物联网传感器节点这类对存储容量需求较小，但需长期稳定存储少量数据的场景。
2. DDR 接口 MRAM 系列
DDR 接口系列专为高性能计算、服务器等对数据处理带宽和速度要求极高的场景打造，能显著提升系统整体运行效率。
1Gb DDR4 STT-MRAM（28nm 工艺）：工作电压 1.2V，符合 DDR4 标准。在 - 35℃至 110℃的工业温度区间内稳定运行，数据写入错误率（WER）极低，仅为 1e-11。在高性能计算集群中，可快速处理海量数据，大幅缩短数据读写等待时间，加速运算进程。
256Mb DDR3 STT-MRAM（40nm 工艺）：工作电压 1.5V，遵循 JEDEC DDR3 规范。具备出色的耐久性，循环写入寿命大于 2e11 次，可在数据中心服务器的内存扩展模块中，长时间可靠存储数据，减少因内存故障导致的数据丢失风险。
3. 大容量 PERSYST MRAM 系列
大容量系列产品聚焦于对数据存储量有巨大需求，且对数据安全性、可靠性要求极高的关键任务系统。
EM064LX HR：64Mb 容量，工作温度范围 - 40°C 至 125°C，符合汽车可靠性标准 AEC-Q100。适用于汽车自动驾驶系统中的海量地图数据存储，即便在复杂的路况和极端天气下，也能确保地图数据完整、准确读取，为自动驾驶提供可靠支持。
EM128LX HR：128Mb 大容量，同样满足 AEC-Q100 标准，工作温度 - 40°C 至 125°C 。在航空航天领域，可用于卫星数据存储，承受太空恶劣环境，保障卫星在长期运行中采集的各类数据安全存储与传输。
4. 小尺寸、低功耗 MRAM 系列
此系列专为空间有限、依靠电池供电的物联网终端、可穿戴设备等设计，在极小的体积内实现高效数据存储，同时最大限度降低功耗。
MR4A08：采用紧凑的 SOP/SOIC 封装形式，存储容量 8Mb。工作电源电压 5V，最大功率 1W，工作温度可达 84℃。在可穿戴健康监测设备中，能在有限的内部空间中存储用户长期的健康数据，且低功耗特性保证设备电池续航，满足用户日常佩戴需求。
MR4A16：16Mb 容量，同样采用小尺寸封装。在低功耗运行模式下，睡眠电流可低至微安级，适用于分布广泛、难以频繁更换电池的物联网环境监测节点，如智能农业中的土壤湿度、温度传感器节点，可长期稳定记录环境数据。
产品选型列表
Density Org. Part Number Pkg. Voltage 4Mb 512Kx8 MR25H40CDC 8-DFN 3.3V 4Mb 512Kx8 MR25H40CDCR 8-DFN 3.3v 4Mb 512Kx8 MR25H40CDF 8-DFN sf 3.3V 4Mb 512Kx8 MR25H40CDFR 8-DFN sf 3.3v 4Mb 512Kx8 MR25H40MDF 8-DFN sf 3.3V 4Mb 512Kx8 MR25H40MDFR 8-DFN sf 3.3v 4Mb 512Kx8 MR25H40VDF 8-DFN sf 3.3v 4Mb 512Kx8 MR25H40VDFR 8-DFN sf 3.3v 4Mb 512Kx8 MR20H40CDF 8-DFN sf 3.3V 4Mb 512Kx8 MR20H40CDFR 8-DFN sf 3.3V 1Mb 128Kx8 MR25H10CDC 8-DFN 3.3V 1Mb 128Kx8 MR25H10CDCR 8-DFN 3.3v 1Mb 128Kx8 MR25H10CDF 8-DFN sf 3.3V 1Mb 128Kx8 MR25H10CDFR 8-DFN sf 3.3v 1Mb 128Kx8 MR25H10MDC 8-DFN 3.3V 1Mb 128Kx8 MR25H10MDCR 8-DFN 3.3v 1Mb 128Kx8 MR25H10MDF 8-DFN sf 3.3V 1Mb 128Kx8 MR25H10MDFR 8-DFN sf 3.3v 256Kb 32Kx8 MR25H256CDC 8-DFN 3.3V 256Kb 32Kx8 MR25H256CDCR 8-DFN 3.3v 256Kb 32Kx8 MR25H256CDF 8-DFN sf 3.3V 256Kb 32Kx8 MR25H256CDFR 8-DFN sf 3.3v 256Kb 32Kx8 MR25H256ACDF 8-DFN sf 3.3v 256Kb 32Kx8 MR25H256ACDFR 8-DFN sf 3.3v 256Kb 32Kx8 MR25H256MDC 8-DFN 3.3V 256Kb 32Kx8 MR25H256MDCR 8-DFN 3.3v 256Kb 32Kx8 MR25H256MDF 8-DFN sf 3.3V 256Kb 32Kx8 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代理项目 详情 公司名称 深圳市满度科技有限公司 代理品牌 EVERSPIN，鸿星晶振（Hosonic）、爱普生、普冉、ISSI等 核心业务 存储芯片、差分晶振、MCU微控制器、模拟信号链产品 服务支持 专业选型、技术咨询、样品提供、本地化服务 应用领域 网络通讯、工业控制、机器人、医疗设备、个人健康等 联系方式 业务邮箱：sales@manduic.com
官方网站：www.manduic.com
销售电话：+86 150-1290-5940合作优势：提供高性价比解决方案，助力客户缩短研发周期、降低验证成本
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